发布日期:2026-11-04 浏览次数:0

各相关企事业单位、科研院所、高校、产业链同仁:
在 AI 算力高速扩张与新能源汽车持续升级的双重牵引下,数据中心高压供电、车载 800V 电驱平台对宽禁带功率半导体提出更高的可靠性、降本与规模化要求;与此同时,HBM 高带宽存储、Chiplet 异构集成浪潮加速,TGV 玻璃通孔基板作为先进封装核心路线,良率瓶颈、材料设备配套、供应链协同成为产业落地关键卡点。
为打通功率半导体下游应用闭环与玻璃基板 + HBM 异构集成产业化链路,搭建器件设计、晶圆制造、封装测试、材料设备、终端应用、投资机构的深度对接平台,经组委会筹备,定于 2027 年3月10-12日在安徽合肥举办 “2027 第四届功率半导体技术在数据中心及新能源汽车的应用大会暨 2027 TGV 良率突破、供应链协同与 HBM 异构集成论坛”。现将有关事项通知如下:
会议时间:2027年3月10-12日
会议地点:安徽·合肥
主办单位:半导体产业平台、半导体增值服务网
承办单位:合肥芯纪元半导体科技有限公司
会议主题:算力电力双轮驱动,玻基异构破局量产
本次大会设置主论坛 + 两大平行分会场,同步安排展览展示、闭门对接会、供需洽谈、商务晚宴。
(一)主论坛:产业宏观趋势与顶层路线
1. 数据中心、新能源汽车产业发展规划与功率半导体需求预测;
2. 宽禁带半导体国产替代进展、产能布局与供应链安全;
3. 先进封装发展路线:硅中介层、玻璃中介层竞争格局,TGV 产业化机遇;
4. HBM 迭代、算力芯片与存储异构集成产业趋势与落地挑战;
5. 产业资本视角:功率器件、玻璃基板、先进封装赛道投资机会;
(二)分会场 A|功率半导体:数据中心 & 新能源汽车应用
1. AI 数据中心高压直流供电架构、固态变压器 SST、48V/800V 供电方案;
2. SiC MOS、GaN HEMT 在服务器电源、UPS、液冷电源选型、可靠性、降本路径;
3. 新能源汽车 800V 平台主逆变器、车载 OBC、DC-DC、电驱功率模块技术方案;
4. 功率器件封装技术、热管理方案、并联均流设计、车载 AEC-Q 可靠性验证;
5. SiC/GaN 衬底、外延、晶圆制造、封测工艺、良率提升与规模化量产方案;
6. 功率器件失效分析、测试标准、国产设备与材料验证进展;
(三)分会场 B|TGV 良率突破、供应链协同与 HBM 异构集成
1. TGV 玻璃基板量产痛点:激光打孔、微裂纹抑制、高深宽比填铜、RDL 布线良率管控;
2. TGV 全产业链协同:玻璃原片、打孔设备、电镀、键合、检测、清洗配套方案;
3. HBM4/HBM4e 堆叠技术、混合键合工艺、玻璃中介层替代硅中介层方案对比;
4. Glass-Chiplet 异构集成、CoPoS、面板级封装 FOPLP、CPO 光电共封技术路径;
5. 玻璃基板翘曲控制、热稳定性、可靠性测试、成本测算与芯片厂验证案例;
6. TGV 标准、测试规范、国产化设备导入、供应链风险与共建模式探讨。
会议征文截止时间 2026年 2月 20 日;会议报告题目、报告摘要和专家简介提交截止时间为 2月 2 日,会议报告演示文件提交截止时间为 2026年 2月 8 日。
为持续提升大会影响力、强化品牌效应,并增强参会单位与个人的获得感,本届大会将设立三大权威奖项, 以表彰在功率半导体与TGV产业领域做出突出贡献的企业与机构 。经大会组委会研究决定,特设以下三项核心奖项:
1. 年度功率半导体产业领航奖
2. 功率半导体核心装备与材料技术创新突破奖
3. TGV 玻璃基板良率突破创新奖
以上奖项将通过专家评审、技术评估、产业影响等多维度进行综合评定,评选结果将在大会期间正式公布并举行颁奖典礼。我们诚挚邀请各相关单位积极参与奖项申报,共同展示功率半导体与TGV产业的最新成果与发展成就。
同时增加科研成果墙、供需墙展示和“新产品、新技术、新工艺 ”发布环节。
① 地点:安徽合肥
② 会议日程安排:2027 年 3月 10日全天报到,11-12日大会开幕式、主题报告、邀请报告、口头报告、展览展示与自由交流研讨,12下午日返程。
请参会代表填写报名回执表发送至联系人邮箱,会议报名费用(包括会议资料、会议期 间的午餐、晚餐及晚宴),会务费由合肥芯纪元半导体科技有限公司代收并开具会务费发票。
会议代表 | 费用 |
普通代表 | ¥2500 |
学生代表 | ¥1800 |
张满萍:13956920382
汪启新:13865934809
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