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半导体头条行业新闻

5G/6G时代射频前端的高难度挑战：兼顾多频、宽带与集成

5G/6G时代射频前端的高难度挑战：兼顾多频、宽带与集成

移动通信技术跨入第五代和第六代的纪元，其核心目标是实现超高吞吐量、极低时延、海量连接以及全新的业务体验。然而，所有这些宏伟目标，最终都必须由设备中最贴近电磁波的“咽喉”——射频前端系统来承载和实现。射频前端位于天线和数字基带处理芯片之间，负责信号的发射与接收，将数字域的信号准确高效地转化为模拟域的电

配合美国对华对抗？荷兰干预安世半导体，冲击半导体产业开放生态

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荷兰在对华态度上再掀波澜，日前又对中资芯片企业出手。环球时报据路透社等多家外媒报道，荷兰政府最近发布了一项被称为“特殊命令”的举措，荷兰经济部本周开始对中国企业的在荷及全球业务核心单位——安世半导体（Nexperia）进行“行政干预”。换句话说，荷兰是在以国家力量对这家公司实施强力控制与干预，似乎要把它“拿

兆易创新与纳微半导体数字能源联合实验室揭牌

兆易创新与纳微半导体数字能源联合实验室揭牌

业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice与纳微半导体共同设立的“数字能源联合实验室”在合肥正式揭牌。该实验室将GD32 MCU领域的深厚积累，与纳微半导体在高频、高速、高集成度氮化镓以及拥有沟槽辅助平面技术的GeneSiC碳化硅领域的产品优势相结合，面向AI数据中心、光伏逆变、储能、充电桩、电动汽车等新兴市场，提

半导体所在高速直调半导体激光器研究方面取得新进展

半导体所在高速直调半导体激光器研究方面取得新进展

近年来，数据中心、智算中心等短距离光通信系统的数据流量呈现爆发式增长。单波长100 Gb/s以上速率的传输技术已在相关系统中实现规模化应用。作为大容量光通信系统的核心光源，InP基高速光发射器件展现出显著的技术优势。其中主流技术之一是采用高速直接调制激光器（DML）实现高速光发射功能。DML不仅具有结构简单、工艺成熟

复旦实现全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片，有望大幅加快产业化

复旦实现全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片，有望大幅加快产业化

从半导体晶体管诞生到全球第一颗CPU，用了24年。复旦大学集成电路与微纳电子创新学院、集成芯片与系统全国重点实验室周鹏-刘春森团队，发表迄今最快二维闪存原型器件成果仅仅半年后，实现了全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片。从颠覆性创新走向系统级应用，这一原本需要数十年的漫漫征途，被大幅压缩。北京时间10月8日晚，

湖北启动“光芯”革命：全国首发技术集群落地，剑指自主计算产业高地

湖北启动“光芯”革命：全国首发技术集群落地，剑指自主计算产业高地

湖北省人民政府办公厅近日印发《湖北省加快算网存用协同发展的若干措施》，以光电子信息“独树一帜”的产业优势为支点，推动100T超低延时“空芯光纤”、8英寸芯片晶圆、车规级AI芯片等全国首发技术实现规模化应用，标志着中部科技大省在算网存用协同领域按下“加速键”。【核心看点】此次政策聚焦“首发技术+场景落地”双轮

【议程重磅发布】2025第二届功率半导体与先进封装技术大会！10.21-23无锡启幕，诚邀报名共探行业前沿！

【议程重磅发布】2025第二届功率半导体与先进封装技术大会！10.21-23无锡启幕，诚邀报名共探行业前沿！

导读“2025第二届功率半导体与先进封装技术大会”议程现已正式发布！大会将于2025年10月21日-23日在江苏无锡隆重召开，以“功率驱动・封装创新・生态共赢”为核心，汇聚全球功率半导体与先进封装领域权威专家、学者及行业领袖。功率驱动・封装创新・生态共赢届时大会嘉宾将围绕六大核心议题研讨：一是功率

四部门关于开展2025年度享受增值税加计抵减政策的集成电路企业清单制定工作的通知

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工业和信息化部国家发展改革委财政部税务总局关于开展2025年度享受增值税加计抵减政策的集成电路企业清单制定工作的通知工信部联电子函〔2025〕234号各省、自治区、直辖市及计划单列市、新疆生产建设兵团工业和信息化主管部门、发展改革委、财政厅（局），国家税务总局各省、自治区、直辖市、计划单列市税务局：根

北京集成电路产教融合基地正式交付使用，总建筑面积超10万平方米

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近日，由北京经开区土地储备与建设服务中心实施的北京集成电路产教融合基地项目顺利完成竣工联合验收工作，正式交付使用。这标志着历时两年的项目建设任务圆满完成，为经开区集成电路产业发展提供了重要支撑。北京集成电路产教融合基地项目顺利完成竣工联合验收工作，正式交付使用。漫步基地园区，四栋高楼充满现代气息，建

功率半导体模块的创新与发展之路

功率半导体模块的创新与发展之路

011. 功率半导体的发展与现状新一代功率半导体电子元件模块自20世纪80年代诞生以来，经历了90年代的持续革新与升级。借助新技术的发展，IGBT模块已演变为一款兼具多种优异特性的电子器件。其通态压降低、开关速度快、高电压低损耗以及出色的大电流热稳定性等特点，使得IGBT模块成功取代旧式双极管，成为电路制造中不可或缺的

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