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乾晟超硬8英寸MPCVD金刚石生产线全线投产
4 月23日,乾晟超硬材料(东莞)有限公司正式宣布其自主研发的 MPCVD(微波等离子体化学气相沉积)8 英寸金刚石生产线实现全线投产,并同步与两家产业链核心企业完成战略签约。此举标志着国内大尺寸半导体级单晶金刚石产业化再获关键突破,为高功率芯片热管理、激光光学等战略领域提供自主可控的核心材料支撑。本次投产的 8
2026-05-09
2025年营收36.72亿元!露笑科技碳化硅业务获关键突破
近日,露笑科技披露2025年年度报告。报告显示,公司2025年实现营业收入36.72亿元,归属于上市公司股东的净利润为2.12亿元。值得注意的是,公司备受市场关注的碳化硅业务在报告期内取得多项关键技术突破。 核心业务突破:碳化硅技术与产能同步跃升 在碳化硅业务方面,碳化硅作为第三代半导体材料的“
2026-05-08
三星重启SiC,功率半导体进入“多巨头时代”
据韩媒ETNews报道,三星电子已正式重启碳化硅(SiC)半导体业务,并与材料、设备及零部件厂商展开合作,推进8英寸SiC产线建设。这标志着在经历此前阶段性收缩后,三星正重新加码第三代半导体,瞄准下一代功率芯片市场。事实上,三星早在2023年便启动SiC布局,试图为8英寸硅基成熟制程寻找新的增长点。但受全球半导体下行周期
2026-05-07
南网科研院研制4毫米高导电石墨烯铜导线,导电率突破104% IACS!
近日,南方电网科学研究院高压所技术团队取得重大技术突破,成功研制出线径超4毫米的高导电石墨烯铜复合导线,实现该材料在电力变压器领域的全球首次工程化应用,产品导电率突破104% IACS,为新型电力系统高效升级提供核心材料支撑。当前,我国电力行业能效提升面临双重瓶颈:传统输电导线依赖增容铜材降低线损,不仅成本高
2026-05-06
WLCSP MOSFET掀起功率器件微型化革命,国产替代加速领跑新赛道
随着消费电子轻薄化、汽车电子化、高端快充及服务器电源产业持续升级,功率器件微型化、高效化迭代进程全面提速。作为新一代核心封装技术,WLCSP晶圆级芯片尺寸封装MOSFET凭借极致尺寸与优异性能,正快速替代传统TO、DFN、SOT封装产品,成为功率半导体领域的新晋增长主力,一场全新的产业微型化革命已然开启。据悉,全新《全
2026-04-29
TGV 玻璃通孔:先进封装面板级集成核心互连方案
面向先进封装高密度互连与面板级集成发展趋势,玻璃通孔(TGV)凭借低介电损耗、高平整度、低热膨胀系数及大尺寸面板化潜力,成为 2.5D/3D 封装、FOWLP/FOPLP、射频与高端封装基板的核心互连方案。TGV 产业化的关键瓶颈在于高深宽比通孔内壁均匀成膜、低温制程控制、膜基结合力保障及整线工艺集成。基于韩国 JS 等离子与 PV
2026-04-28
芯融合 | 芯擎科技发布5nm车规级AI舱驾融合芯片"龍鹰二号"
在2026北京国际车展上,高性能车规和工业芯片领航者芯擎科技发布5nm车规级舱驾融合芯片"龍鹰二号",计划于2027年第一季度启动适配。从"龍鹰一号"智能座舱芯片的百万级量产,到"龍鹰二号"AI舱驾融合的突破,标志着芯擎科技完成了从"智能座舱引领者"向"整车中央计算平台定义者&
2026-04-27
比光芯片还猛?铜箔赛道狂飙,龙头业绩暴增150%,高端国产替代杀疯了
近期,光芯片持续刷屏半导体圈,但一个被忽视的赛道正实现“弯道超车”——铜箔,其供需紧张程度远超光芯片,高端国产替代进程全面提速、势头迅猛,行业龙头业绩暴增,成为科技领域最具爆发力的隐藏风口。相较于光芯片的阶段性瓶颈,铜箔赛道的爆发更具冲击力,AI算力爆发与新能源锂电、储能需求高增形成双轮驱动,直接引爆
2026-04-24
晶盛机电双材料重大突破 打破海外垄断赋能国产半导体
(文章来源:AI整理)本报讯 晶盛机电(300316.SZ)近期披露,在碳化硅(SiC)衬底与氮化硅陶瓷两大关键材料领域实现里程碑式突破,以“装备+材料”双轮驱动,夯实我国第三代半导体与先进封装材料国产替代壁垒。碳化硅衬底领域,公司子公司浙江晶瑞攻克12英寸导电型SiC晶体生长核心难题,建成行业首条全自主设备中试线,关键
2026-04-23
国产芯突破!HPM6E8Y引领机器人关节控制“芯”革命
(文章来源:AI整理)机器人关节的灵活度、精准度,全看“大脑”够不够强!先楫半导体推出的HPM6E8Y实时控制芯片,以国产RISC-V架构为核心,凭硬核性能打破国际垄断,成为机器人关节控制的“黄金芯片”,引领国产机器人迈入“芯”时代。作为专为机器人关节、一体化伺服打造的旗舰级MCU,HPM6E8Y的核心竞争力直击行业痛点。双
2026-04-22
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